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厂商型号

IPG20N04S4-09 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP

内部编号

173-IPG20N04S4-09

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:10000
1+¥4.8541
25+¥4.5459
100+¥4.3148
500+¥4.1607
1000+¥3.9295
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:1652
1+¥8.342
10+¥6.7009
100+¥5.1488
500+¥4.5471
1000+¥3.5898
2500+¥3.1727
5000+¥3.1112
10000+¥3.0565
25000+¥2.8308
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:2500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPG20N04S4-09产品详细规格

规格书 IPG20N04S4-09 datasheet 规格书
包装 8TDSON EP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 40 V
最大连续漏极电流 20 A
RDS -于 8.6@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型上升时间 3 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
P( TOT ) 54W
匹配代码 IPG20N04S4-09
R( THJC ) 2.8K/W
LogicLevel NO
单位包 5000
标准的提前期 18 weeks
最小起订量 5000
Q(克) 28nC
封装 REEL
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 AEC-Q(100)
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 20A
V( DS ) 40V
技术 OptiMOS T2
的RDS(on ) at10V 0.0086Ohm
无铅Defin RoHS-conform
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 20 A
系列 IPG20N04
RDS(ON) 8.6 mOhms
功率耗散 54 W
封装/外壳 TDSON-8
零件号别名 IPG20N04S409ATMA1 SP000705570
配置 Dual
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant

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